可控硅基礎原材料的P1N1P2N3四層三端元器件，因為它特點類似真空泵閘流管，因此國際性上統稱為硅晶體閘流管，通稱可控硅T。又因為可控硅最開始運用于可控性整流器層面因此又稱之為硅可控性整流器元器件，通稱為可控硅SCR。

　　在特性上，可控硅不但具備單邊導電率，并且還具備比硅整流器元器件（別名“死硅”）更加寶貴的可預測性。它只能導通和關閉二種情況。

　　可控硅能以mAh級電流操縱大功率的機械設備，假如超出此頻率，因元器件開關損耗明顯提升，容許根據的均值電流相減少，這時，允差電流應退級應用。

　　一、可控硅元器件的構造：

　　無論可控硅的外觀設計怎樣，他們的芯管全是由P型硅和N型硅構成的四層P1N1P2N3構造。見圖1。它有三個PN結（J1、J2、J3），從J1構造的P1層引出來陽極氧化A，從N3層引出來陰級K，從P2層引出來操縱極G，因此它是一種四層三端的集成電路工藝。

　　二、可控硅的優勢：

　　1.以小功率操縱大功率，功率變大倍率達到幾十萬倍；

　　2.反映很快，在微秒級內啟用、關閉；

　　3.無觸點運作，無火苗、沒有噪音；

　　4.高效率，低成本這些。

　　可控硅從外觀設計上歸類關鍵有：地腳螺栓形、平板電腦形和厚底形。