可控硅基本伏安特性

　　（1）反向特點

　　當操縱極引路，陽極氧化再加反向工作電壓時（詳細圖2），J2結正偏，但J1、J2結反偏。這時只有穿過不大的反向飽和狀態(tài)電流，當工作電壓進一步提高到J1結的雪崩擊穿工作電壓后，接差J3結也熱擊穿，電流快速提升，圖3的特點剛開始彎折，如特點AN段圖示，彎曲處的工作電壓URO叫“反向轉折點工作電壓”。這時，可控硅會產(chǎn)生永久反向。

　　陽極加上反向電壓

　　（2）正向特點

　　當控制極開路，陽極氧化上再加正向工作電壓時（見圖3），J1、J3結正偏，但J2結反偏，這與一般PN結的反向特點類似，也只有穿過不大電流量，這叫正向阻隔情況，當工作電壓提升，圖3的特點發(fā)生了彎折，如特點OA系統(tǒng)段圖示，彎曲處的是UBO叫：正向轉折點工作電壓

　　陽極加正向電壓

　　因為工作電壓上升到J2結的雪崩擊穿工作電壓后，J2結產(chǎn)生山崩增長效用，在結區(qū)造成很多的電子器件和空化，電子器件時入N1區(qū)，空化時入P2區(qū)。進到N1區(qū)的電子器件與由P1區(qū)根據(jù)J1結引入N1區(qū)的空化復合型，一樣，進到P2區(qū)的空化與由N3區(qū)根據(jù)J3結引入P2區(qū)的電子器件復合型，雪崩擊穿，進到N1區(qū)的電子器件與進到P2區(qū)的空化分別不可以所有復合型掉，那樣，在N1區(qū)就會有電子器件累積，在P2區(qū)就會有空化累積，結果使P2區(qū)的電位差上升，N1區(qū)的電位差降低，J2結變?yōu)檎请娏髁可蕴嵘ぷ麟妷罕憧焖俳档停霈F(xiàn)說白了負阻特點，見圖3的虛線AC段。

　　這時候J1、J2、J3三個結均處在正偏，可控硅便進到正向導電性情況---通態(tài)，這時，它的特點與一般的PN結正向特點類似，（由此可見圖2中的BC段）。

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